管惟炎（中国科学院院士）

人物简介

1949年秋，管惟炎被保送到哈尔滨工业大学学习，同时兼任政治教研室负责人和政治教员。

1951年，管惟炎又以优异成绩考取清华大学物理系。1953年通过考试，他被派往前苏联留学，先后在列宁格勒大学、第比利斯国立大学和莫斯科大学物理系学习，专业为低温物理。

他在莫斯科大学学习期间，由于成绩突出，被选送到著名物理学家彼得·卡皮查（后来获诺贝尔物理奖）领导的物理研究所完成毕业论文，他以构思巧妙的实验发现了“反向卡皮察热阻”。

1958年，他在全苏低温物理大会上宣读了自己的毕业论文，语惊四座。

他提前毕业，被学校推荐并由苏联物理问题研究所彼得·卡皮查所长挑选为物理问题研究所的研究生，他把自己的研究成果写成论文《对于固体与超流氦之间界面上温度不连续性的研究》，该文成为此课题研究中的经典之作。

管惟炎于1960年毕业，获苏联副博士学位（相当于欧美博士学位）。

1960年毕业后入中国科学院物理研究所，历任研究员、所长兼任北京大学、华中工学院教授，中国物理学会常务理事、副秘书长，中国制冷学会副理事长，国务院学位委员会学科评议组成员等职。

1980年10月，当选中国科学院院士（中国科学院学部委员）。

1983年8月－1985年5月，中国科学院物理研究所，所长。

1984年9月－1985年4月，中国科学技术大学，代理校长。

1985年－1986年，中国科学院物理研究所第四届学术委员会成员.

1985年4月－1987年1月，中国科学技术大学，校长。

1986年底，在其任职中国科学技术大学校长期间，合肥发生学潮，次月管惟炎与当时担任中国科学技术大学副校长的方励之同时被免职。

1991年，在李远哲、丁肇中、吴健雄及袁家骝四位物理大师的联名推荐下，成为首位获国科会延揽来台的杰出大陆人士。

这十几年间，管惟炎大部分时间是独居在新竹清大，晚年的生活恬淡自得，新竹清华大学及中国科学技术大学都是以“管先生”尊称他，在新竹清大他还前后指导了十余名博、硕士学生。

管惟炎主要从事低温物理与超导的研究，与他人合著有《超导电性》（一、二）、《超导研究75年》，发表学术论文70多篇。

从事强磁场超导材料和超导磁体的研究，60年代以来在中国首先倡导并进行强磁场超导材料与超导磁体的研制，与中国若干研究单位、高校、工厂合作，先后研制了几种具有国际水平的国产超导材料。

又从事有关超导材料的基础研究，解决了第二类超导体临界场与临界电流的起源问题，发明了一种测量强场超导材料临界特性的新方法，验证了超导体的相变热力学关系式。

研究发现了超导体在磁场中转变时的负磁阻效应，在SrTiO3和ZrO2衬底上分别达到5×106安/厘米2和106安/厘米2的电流密度，在单晶硅衬底上取得居国际先进水平的84KYBaCuO薄膜。

管惟炎是多次国际科研规划凝态物理计划的起草人并主持过该项计划的会议，是中国大百科全书凝态物理的主编，对推动中国高温超导研究及同步辐射加速器的建设有重要贡献。

1957年－1960年，在苏联期间主要从事液态He-II（超流液氦）与固体界面之间的Kapitza热阻的研究，用实验证实了Kapitza热阻的可逆性，发明了量测由He-II导固体界面上Kapitiza热阻的方法。

用系统的实验检验了声子失匹配理论，提出了解决理论与实验之间矛盾的物理模型。发现反响卡皮查热阻的研究结果，解释了当时文献上存在的理论与实验间的严重分歧，被视作核领域的经典性论文。

1960年－1976年，在中国科学院物理所工作期间与工业部门研究所及工厂合作（冶金部有色金属研究院，宝鸡有色金属厂，长沙矿冶研究所，上海冶金所等）眼发低温超导线材及带材。

先后研制成功具有高电流密度（106A/cm2，8T）高机械强度及稳定性能的超导材料，包括NbTi线材及Nb3Sn带材，并在此基础上研制成功磁场强大十万高斯（10T）的超导磁体，获国家科学奖。

管惟炎在60年代初，曾进行过核爆材料的低温检测，获有关单位奖励。

管先生是中国超导研究及低温教学的主要推动者，在中国科学院物理所的推动下，先后在北京大学、中国科学技术大学及中国科学院若干研究所及产业部门的研究所建立了超导及低温研究实验室，培养了大批从事超导物理及技术的研究、教学人才。

1976年－至今主要从事高温超导研究。目前中国超导研究集中的单位如中科院物理研究所、中国科大、北大及冶金部门的团队均是当年经低温超导研究中培养出来的人员。

发现了高温超导体中的离子尺寸效应（包括Tc，Tn，Pn，Rh等），薄膜中的反迈斯纳效应，磁滞回线中的鱼尾现象及超导电性与非磁性的共存现象等。其中离子尺寸效应受到国际学术界的关注，对高温超导的微观理论有重要启发。

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